都说人倒霉的时候,喝凉水都塞牙,人走运的时候,放屁都崩金花。

    整个2001年,从开年到现在,恩斯特就有这种感觉,好事是一件接着一件。

    先是纳科从硬件到终端的喜讯连连,爆的一塌糊涂,现在光刻机那边,也传来了好消息。

    红木城,贝尔实验室。

    任由外界春夏秋冬,雨打风霜,风雨晨昏,这里的温度都是那么的始终如一,死死的焊在了二十二摄氏度上。

    后山的三号光学实验室里,昏暗的红光铺满了整间屋子,唯一的亮色,是真空腔体仪表盘上跳动的幽蓝数字,微弱却执拗,就像是黑暗里不肯熄灭的火光一样。

    扎卡里·拉塞尔几乎是跪在了减震光学平台旁,上半身前倾着,瞳孔死死的盯着眼前的精密设备上,连呼吸都放轻了不少。

    “真空度达标,十的负九次方帕,腔体杂质含量合格。”他的身后,实习生费林的声音小声清亮又带着一丝紧绷的颤抖。

    “启动光源。”扎卡里点头开口,紧握的指尖,泄露了他此刻心底的紧张。

    费林闻言按下启动键。

    嗡

    低沉的设备嗡鸣声瞬间响起,密闭的真空腔体,骤然亮起了一道转瞬即逝的紫白色闪光。

    可只有一瞬的爆裂光亮,像流星划破黑暗一样,随即就迅速湮灭在了真空之中,快到人的肉眼几乎都来不及捕捉,好像一抹转瞬即逝的光影残影。

    而显示器上,光子计数曲线猛地抬起一个尖锐的峰值后,下一秒便毫无缓冲地断崖式跌落,归零的速度快得仿佛从未出现过一般。

    费林看着屏幕上彻底归零的数据,肩膀瞬间垮了下来,眼底有些麻木的“功率还是上不去,单次脉冲能量勉强达标,但持续输出完全达不到曝光要求,和过去一周我们得到的结果没有什么区别。”

    过去七天,他们不知道调整了多少次的腔体气压,微调了多少遍的脉冲触发频率,可不管是哪个方案,结果始终没变。

    扎卡里倒是一脸的平静,不知道是习惯了还是以此来安慰对方。

    他缓缓俯身凑近晶圆载台,隔着双层真空观察窗,凝神看向那块静静安放的光刻胶片。

    基片的表面平整光洁,没有任何的划痕与成像纹路,像一块未经雕琢的顶级璞玉,却直白又残酷地宣告着测试的失败。

    极紫外光,波长13.5纳米,人类已知有可能可用于芯片光刻的最短波长之一。

    理论上,它能轻松突破两百纳米、一百纳米的制程壁垒,将摩尔定律从光学光刻的瓶颈中彻底解救出来。

    可理论的完美,终究抵不过现实的残酷。

    “不是设备的问题。”扎卡里缓缓起身“是光源本身的物理瓶颈,我们撞墙了,光源功率明显不足。

    “现在是我们能造出光了,却养不活光。”费林低声呢喃,语气里充满了挫败感。

    扎卡里看着这个跟了自己一年的实习生,笑着拍了拍他的肩膀,安抚道“科学实验就是如此,从来没有一蹴而就的突破,所有颠覆性的技术,都是在一次次的挫败中,找寻那么一丝渺茫的可能。”

    “我们现在的每一次失败,都是在排除一条错误的路径,都是在为最终的成功而铺路。”

    “而且我们已经成功了,不是吗?”

    迎上费林不解的目光,扎卡里说道“至少我们证明了,13.5纳米的极紫外光可以实现受控、反射、成像,EUV光刻的原理是没有任何问题的。

    这才是至关重要的,是0到1的研究。

    科学界有一句名言,只要证明了原理的成立,所有的硬件瓶颈和工程难题,都只是时间与技术问题,没有突破不了的技术。

    同一时间,加州,临界半导体子公司,SVG的总部实验室。

    如果说贝尔实验室的攻坚,是从物理原理层面验证EUV的可行性,那SVG的探索,就是从工程落地的角度,尝试将这套全新的技术推向实用化。

    SVG的首席工程总监罗伯特·肖恩站在超净工作台前,也在双眼紧盯着显微镜下的EUV反射式掩模。

    和传统DUV光刻采用的透射式掩模不同,EUV技术的极紫外光无法穿透任何固体材料,几乎所有物质都会吸收EUV光子,因此只能采用这种反射式的掩模,依靠多层膜反射光线,完成光刻成像。

    这也是八十年代EUV光刻机的构想提出来时,列举出来的三大难题里的一个,那就是能不能造出可适配量产节奏的反射式掩膜出来。

    “累计曝光时长,七分十二秒。”很快,他的助手报出的数据,就把他从惆怅中拽了回来。

    “我知道了。”他淡淡的回了一句。

    七分十二秒。

    仅仅七分钟的EUV曝光作业,这枚造价数万美金,经过数十道精密工艺打磨的掩模,就已经报废了。

    在DUV的光刻体系里,一枚合格的光刻掩模,需要支撑数十万次甚至数百万次的持续曝光,能够耐受长时间高能光线照射,保持图案精度的稳定。

    而他们现在制作的EUV掩模,连十分钟的稳定工作都无法实现。

    “你们一共尝试了八种镀膜方案,两种基底改性工艺,效果都是是很坏。”另一边,专门负责反射式掩膜研发的研究员出声说道。

    “有论是增加膜层厚度、调整钼硅配比,还是表面抗氧化处理,目后来看,都有法抵御低能光子的持续轰击。”

    罗伯特点点头,有没意里。

    肯定那么坏成功,也是至于从EUV光刻理论提出到现在,是女13年了,几乎还在原地踏步。

    现在的SVG,其实是女取得了巨小的成功。

    “原理通了,架构通了,是女扛是住量产的损耗,但是管怎么样,至多你们证明了,那条路是通的。”

    “光学污染这边传来坏消息了?”对方惊喜的低呼了一声。

    斯特实验室这边对光源的理论验证成功我是知道的,现在我负责的反射式掩膜,虽然距离商用标准还没
『加入书签，方便阅读』
-->> 本章未完，点击下一页继续阅读(第1页/共2页)